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提起低功耗、大电流、超高速半导体器件，很多电子工程师第一想到的可能是肖特基二极管（SBD），但相比其他二极管，肖特基二极管的使用频率有些低，主要很多工程师不会使用，下面来看看，如何使用肖特基二极管？和其他二极管相比，肖特基二极管有什么独特之
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原
肖特基二极管作为一种高效的半导体器件，在电子工程领域广有着广泛的应用，但很多电子小白对肖特基二极管接触不深，更是对它的技术指标感到头痛，所以为了解决这些烦恼，今天凡小亿开课好好谈谈肖特基二极管的技术指标，希望对小伙伴们有所帮助。1、导通压降
2023年，对全球半导体厂商来说是充满机遇也有许多挑战的一年，中国疫情全面解封，半导体行业迎来了一定的蓬勃发展，但地缘政治关系加剧，导致全球化趋势明显降低，那么2023年半导体厂商谁抓住了机遇，谁又沉落下去？近日，知名市场调研机构Count
红外温度传感器是一种能够通过感应物体表面红外线辐射能量来测量物体表面温度的传感器。它采用了非接触式测温技术，不仅可以避免传统温度传感器所带来的物理干扰和测量误差等缺陷，还具有高精度、长寿命、快速响应等优点，在医疗、工业、半导体等领域得到了广
动图看PN结的形成原理
关于二极管的原理来自于PN结，下图为本征半导体：1.空穴与电子动画中空穴是红的，电子是蓝的，其实我一直对空穴这个概念很抵触，因为从这个动画上来看空穴是不动的。但讲PN结、三极管的时候都会把空穴当成运动的载流子，虽然似乎也不是很难理解。P型半
离子注入工艺仿真
离子注入作为半导体常用的掺杂手段，具有热扩散掺杂技术无法比拟的优势。列表对比掺杂原子被动打进到基板的晶体内部，但是它是被硬塞进去的，不是一个热平衡下的过程，杂质一般也不出在晶格点阵上，且离子轨迹附近产生很多缺陷。如下图，但是离子注入之后也是需要二次退火的，退火的目的一是去除缺陷，二是让掺杂的原子能
TCAD基础知识介绍
TCAD相信很多人都用过，很多人说做工艺指导还行，信它就可能把片子玩飞了。TCAD在工艺仿真上有它一定的局限性，毕竟工艺过程总环境、物料、人的影响很大。作为器件仿真还是值得学习一下。 TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半导体工艺模拟以及器件模拟
很基础的MOS管知识
半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝
MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，凭借着输入阻抗高、开关速度快、热稳定性优良等特点，是现代电子电路中常用的半导体器件之一。在MOS管的结构中有三个重要电极，分别是G极、S极、D极，下面聊聊这些电极。一般来说，一个典型的N沟道MOS管由一
